Podłoże Sic
video
Podłoże Sic

Podłoże Sic

Podłoża z węglika krzemu (SiC) są wykonane z bardzo czystego materiału, który łączy krzem i węgiel. Proces produkcji rozpoczyna się od techniki wysokotemperaturowej zwanej Physical Vapor Transport (PVT). W tym procesie proszek krzemu i węgla zamienia się w parę, a następnie schładza się, tworząc duży kryształ zwany boule.

  • Szybka dostawa
  • Zapewnienie jakości
  • Obsługa klienta 24/7
Wprowadzenie produktów
Wprowadzenie produktów

 

Podłoża z węglika krzemu (SiC) są wykonane z bardzo czystego materiału, który łączy krzem i węgiel. Proces produkcji rozpoczyna się od techniki wysokotemperaturowej zwanej Physical Vapor Transport (PVT). W tym procesie proszek krzemu i węgla zamienia się w parę, a następnie schładza się, tworząc duży kryształ zwany boule.
Następnie kula jest cięta na cienkie plasterki zwane waflami i polerowana, aby były gładkie i odblaskowe. Ta staranna produkcja zapewnia, że ​​każdy substrat SiC może wytrzymać wysokie temperatury, dobrze przewodzi prąd i jest bardzo mocny. Te cechy są idealne do stosowania w elektronice, która musi działać w trudnych warunkach, takich jak urządzenia zasilające, czujniki działające w wysokich temperaturach i systemy używane w trudnych warunkach. Substraty z węglika krzemu pomagają uczynić urządzenia elektroniczne bardziej wydajnymi, trwałymi i mocnymi.

70-1
70-2

 

Często zadawane pytania

 

P: Jaka jest różnica pomiędzy waflami Si i SiC?

A: Główną różnicą między płytkami Si (krzemowymi) a płytkami SiC (węglikami krzemu) jest materiał. Krzem jest czystym pierwiastkiem, podczas gdy węglik krzemu jest związkiem krzemu i węgla. Płytki SiC lepiej sprawdzają się pod względem odporności na ciepło, tolerancji ciśnienia i ruchliwości elektronów, co czyni je odpowiednimi do bardziej wymagających zastosowań.

P: Jakie są parametry sieci 6H-SiC?

A: 6H-SiC ma heksagonalny układ krystaliczny o stałych sieci około 3,081 Å (a) i 15,117 Å (c). Jego unikalna struktura krystaliczna zapewnia mu doskonałe właściwości fizyczne i chemiczne, szeroko stosowane w półprzewodnikach o wysokiej wydajności.

P: Co oznacza SiC w kontekście półprzewodników?

A: W półprzewodnikach SiC jest ceniony za swoje doskonałe właściwości, takie jak wysoka przewodność cieplna, wysoka ruchliwość elektronów i wysoka odporność na ciepło. Te cechy sprawiają, że SiC jest idealny do produkcji wydajnych i trwałych urządzeń elektronicznych, które mogą działać w ekstremalnych warunkach, takich jak te stosowane w pojazdach elektrycznych i technologii kosmicznej.

 

Popularne Tagi: sic substrate, chińscy producenci sic substrate, dostawcy, fabryka

Może ci się spodobać również

(0/10)

clearall