Strona główna / Produkty / Wafel Sic / Treści

Produkty

Podłoże Sic

Podłoża z węglika krzemu (SiC) stają się coraz ważniejsze w różnych dziedzinach, szczególnie w elektronice mocy ze względu na ich doskonałe właściwości. SiC, półprzewodnik o szerokiej przerwie energetycznej, oferuje wiele zalet w porównaniu z tradycyjnym krzemem, w tym wyższą wydajność energetyczną, większą odporność na temperaturę i lepszą niezawodność. Te atrybuty sprawiają, że podłoża SiC są kluczowym elementem w rozwoju zaawansowanych systemów technologicznych. Węglik krzemu, często w skrócie SiC, jest związkiem krzemu i węgla. Jako podłoże służy jako fundament, na którym powstają urządzenia lub obwody. Podłoża SiC zapewniają idealną platformę dla urządzeń mocy ze względu na ich unikalne właściwości fizyczne i elektroniczne.

Wyślij zapytanie

Szybka dostawa
Zapewnienie jakości
Obsługa klienta 24/7

Wprowadzenie produktów

profil firmy

Firma Zhonggui Semiconductor założona w 2009 r. wyrosła z korzeni w Yangzhou Zhongding Semiconductor Company i stała się liderem w branży półprzewodników. Wykorzystując innowacje techniczne z Nanos Institute of the Chinese Academy of Sciences, specjalizujemy się w produkcji i rozwoju technologicznym półprzewodnikowych płytek krzemowych. Nasze zaangażowanie wykształciło wybitny zespół techniczny, zapewniając nam pozycję lidera branży.

Dlaczego właśnie my

Sprzęt produkcyjny

Prowadzimy obiekt klasy 100 cleanroom, wyposażony w maszyny do krojenia, szlifierki, maszyny do fazowania, chemiczno-mechaniczne maszyny do polerowania, maszyny do cięcia i wiele innych. Jesteśmy oddani zapewnianiu naszym klientom profesjonalnych, dostosowanych usług.

Profesjonalna drużyna

Mamy zasięg globalny, a nasze produkty są sprzedawane w wielu krajach, w tym w Stanach Zjednoczonych, Rosji, Wielkiej Brytanii, Francji itd. Jesteśmy zaangażowani we współpracę z naszymi klientami w celu wspierania wzajemnego rozwoju i osiągania partnerstw korzystnych dla obu stron.

Certyfikat

Dysponując zaawansowanym sprzętem i silnym systemem zarządzania jakością ISO 9001 zapewniamy naszym klientom wysokiej jakości, dostosowane do ich potrzeb rozwiązania.

Nasz zakład

Firma Silicore Technologies Ltd., z siedzibą w strefie przemysłowej Tianshan Town w Yangzhou, to fabryka zajmująca się bezpośrednim dostarczaniem niestandardowych produktów na bazie krzemu.

Wafel z węglika krzemu

Węglik krzemu (SiC) ze względu na swoją wytrzymałość i szeroki zakres zastosowań wywiera znaczący wpływ na wiele gałęzi przemysłu dzięki swoim wyjątkowym właściwościom.

Wafel 4H Sic

Węglik krzemu (SiC) ze względu na swoją wytrzymałość i szeroki zakres zastosowań wywiera znaczący wpływ na wiele gałęzi przemysłu dzięki swoim wyjątkowym właściwościom.

Wafel Sic 6H

Polimer 6H wyróżnia się solidnymi właściwościami mechanicznymi i jest często stosowany w miejscach, w których trwałość ma priorytet.

Podłoże Sic

Podłoża z węglika krzemu (SiC) są wykonane z bardzo czystego materiału, który łączy krzem i węgiel. Proces produkcji rozpoczyna się od techniki wysokotemperaturowej zwanej Physical Vapor Transport (PVT).

Czym jest Sic Substrate?

Podłoża z węglika krzemu (SiC) stają się coraz ważniejsze w różnych dziedzinach, szczególnie w elektronice mocy ze względu na ich doskonałe właściwości. SiC, półprzewodnik o szerokiej przerwie energetycznej, oferuje wiele zalet w porównaniu z tradycyjnym krzemem, w tym wyższą wydajność energetyczną, większą odporność na temperaturę i lepszą niezawodność. Te atrybuty sprawiają, że podłoża SiC są kluczowym elementem w rozwoju zaawansowanych technologicznie systemów.
Węglik krzemu, często w skrócie SiC, jest związkiem krzemu i węgla. Jako podłoże służy jako fundament, na którym powstają urządzenia lub obwody. Podłoża SiC zapewniają idealną platformę dla urządzeń mocy ze względu na ich unikalne właściwości fizyczne i elektroniczne.

Zalety podłoża Sic

Wysoka przewodność cieplna
SiC ma przewodność cieplną 3-5 razy wyższą niż podłoża krzemowe (Si). Pozwala to na szybsze rozpraszanie ciepła i pomaga utrzymać niską temperaturę urządzenia.

Wysokie napięcie przebicia
Podłoża SiC mają wysokie napięcie przebicia, co pozwala im wytrzymać wysokie pola elektryczne. Umożliwia to rozwój urządzeń, które mogą pracować przy wysokich napięciach i prądach, co czyni je idealnymi do zastosowań o dużej mocy.

Wysoka ruchliwość elektronów
SiC ma większą ruchliwość elektronów niż Si, co pozwala na rozwój urządzeń, które mogą pracować przy wyższych częstotliwościach. Jest to ważne w zastosowaniach takich jak wzmacniacze RF i obwody przełączające o wysokiej częstotliwości.

Szeroka przerwa pasmowa
SiC ma szeroką przerwę pasmową, co pozwala na rozwój urządzeń, które mogą pracować w wyższych temperaturach. Jest to ważne w zastosowaniach wysokotemperaturowych, takich jak elektronika mocy i przemysł lotniczy.

Zmniejszone straty mocy
Podłoża SiC mają niższą rezystancję włączenia i straty przełączania niż podłoża Si. Pozwala to na zmniejszenie strat mocy i poprawę wydajności w urządzeniach elektronicznych dużej mocy.

Rodzaj podłoża Sic

Podłoże ceramiczne z azotku glinu
Układ heksagonalny, kowalencyjnie wiązany związek wurcytowy na bazie tetraedrycznej jednostki strukturalnej [AlN4], charakteryzuje się dobrą przewodnością cieplną, niezawodną izolacją elektryczną, niską stałą dielektryczną i stratą dielektryczną, jest nietoksyczny i ma współczynnik rozszerzalności cieplnej krzemu itp. Dzięki szeregowi doskonałych właściwości jest uważany za idealny wybór dla nowej generacji wysoce zintegrowanych podłoży półprzewodnikowych i materiałów do pakowania urządzeń elektronicznych.
Proces przygotowania proszku AlN, głównego surowca ceramiki AlN, jest złożony, energochłonny, ma długi cykl i jest drogi. Wysokie koszty ograniczają szerokie zastosowanie ceramiki AlN, więc podłoża ceramiczne AlN są głównie stosowane w zaawansowanych gałęziach przemysłu.
Podłoże ceramiczne z azotku krzemu
Si3N4 ma trzy struktury krystaliczne, mianowicie faza, faza i faza. Spośród nich faza i faza są najczęstszymi formami Si3N4 i wszystkie są strukturami heksagonalnymi. Si3N4 ma doskonałe właściwości, takie jak wysoka twardość, wysoka wytrzymałość, mały współczynnik rozszerzalności cieplnej, małe pełzanie w wysokiej temperaturze, dobra odporność na utlenianie, dobra odporność na korozję na gorąco i mały współczynnik tarcia.
Jednakże ceramika Si3N4 ma słabe właściwości dielektryczne (stała dielektryczna wynosi 8,3, strata dielektryczna wynosi 0.001~0,1) i wysoki koszt produkcji, co ogranicza jej zastosowanie jako ceramicznego podłoża do obudów urządzeń elektronicznych.

Podłoże ceramiczne z węglika krzemu
Ceramika SiC ma wysoką przewodność cieplną. Przewodność cieplna w wysokich temperaturach wynosi 100 W/(m·k)~400 W/(m·k), co jest 13 razy więcej niż w przypadku Al2O3. Ma dobrą odporność na utlenianie, temperatura rozkładu wynosi powyżej 2500 stopni i nadal może być stosowana w atmosferze utleniającej o temperaturze 1600 stopni; ma również dobrą izolację elektryczną, a jej współczynnik rozszerzalności cieplnej jest niższy niż w przypadku Al2O3 i AlN. Ceramika SiC ma silne właściwości wiązania kowalencyjnego i nie jest łatwa do spiekania. Niewielkie ilości boru lub tlenku glinu są często dodawane jako środki wspomagające spiekanie w celu zwiększenia gęstości. Eksperymenty pokazują, że beryl, bor, aluminium i ich związki są najskuteczniejszymi dodatkami, które mogą sprawić, że gęstość ceramiki SiC osiągnie ponad 98%.

Podłoże ceramiczne z tlenku berylu
BeO jest jedyną heksagonalną strukturą wurcytową wśród tlenków metali ziem alkalicznych. Ponieważ BeO ma strukturę wurcytową i silne wiązanie kowalencyjne oraz niską względną masę cząsteczkową, ma wysoką przewodność cieplną. Tlenek glinu BeO ma około Jego przewodność cieplna w temperaturze pokojowej może osiągnąć 250 W/(m K), a jego przewodność cieplna jest 10 razy wyższa niż metalu. W wysokich temperaturach i przy wysokich częstotliwościach ma dobre właściwości elektryczne, dobrą odporność na ciepło i dobrą odporność na uderzenia. , dobrą stabilność chemiczną.
Chociaż BeO ma pewne doskonałe właściwości, jego fatalną wadą jest to, że jego proszek jest niezwykle toksyczny. Długotrwałe wdychanie pyłu BeO może powodować zatrucie, a nawet zagrożenie życia, a także może powodować zanieczyszczenie środowiska, co ma duży wpływ na produkcję i stosowanie ceramicznych podłoży BeO [5]. Ponadto koszt produkcji BeO jest stosunkowo wysoki, co ogranicza jego produkcję i stosowanie.

Podłoże ceramiczne z azotku boru
Azotek boru występuje w dwóch różnych formach krystalicznych: heksagonalnej i sześciennej. Spośród nich sześcienny azotek boru ma wysoką twardość i może wytrzymać wysokie temperatury od 1500 do 1600 stopni, co czyni go odpowiednim do materiałów supertwardych. W odpowiednich warunkach obróbki cieplnej heksagonalny azotek boru może zachować wysoką stabilność chemiczną i mechaniczną w bardzo wysokich temperaturach. Materiał azotku boru ma wysoką stabilność termiczną, stabilność chemiczną i izolację elektryczną. Przewodność cieplna ceramiki azotku boru w temperaturze pokojowej jest równoważna przewodności stali nierdzewnej, a jego właściwości dielektryczne są dobre. Azotek boru jest bardziej kruchy niż większość ceramiki, ma mały współczynnik rozszerzalności cieplnej, silną odporność na szok termiczny i może wytrzymać szybkie zmiany różnic temperatur powyżej 1500 stopni.

Zastosowania podłoża Sic

Sic Substrate, jako typowy przedstawiciel trzeciej generacji materiałów półprzewodnikowych, jest również jednym z najbardziej dojrzałych i szeroko stosowanych materiałów półprzewodnikowych o szerokiej przerwie energetycznej. Dzięki doskonałym właściwościom półprzewodnikowym materiały ceramiczne Sic Substrate są szeroko stosowane w różnych dziedzinach. Odgrywają ważną innowacyjną rolę we współczesnym przemyśle. Są niezwykle idealnym materiałem półprzewodnikowym w zastosowaniach wysokotemperaturowych, wysokoczęstotliwościowych, odpornych na promieniowanie i o dużej mocy. Siton był bardzo świadomy takich możliwości rynkowych i wprowadził na rynek podłoża opakowaniowe z węglika krzemu, które zostały szeroko pochwalone przez klientów. Ponieważ urządzenia zasilające z węglika krzemu mogą znacznie zmniejszyć zużycie energii przez sprzęt elektroniczny, urządzenia z węglika krzemu są również znane jako „urządzenia zielonej energii”, które napędzają „nową rewolucję energetyczną”.

Różne układy silnikowe
W dziedzinie zastosowań wysokonapięciowych półprzewodnikowe urządzenia mocy z węglika krzemu wykorzystujące ceramiczne podłoża z węglika krzemu mają znaczną redukcję zużycia energii. Generowanie ciepła przez sprzęt jest znacznie zmniejszone, a straty przełączania mogą zostać zmniejszone nawet o 92%. Może to również dodatkowo uprościć mechanizm chłodzenia sprzętu. Miniaturyzacja sprzętu znacznie zmniejsza zużycie materiałów metalowych do rozpraszania ciepła.

Pole oświetlenia LED półprzewodnikowego
Podłoże Sic Substrate ma duże zalety w diodach LED dużej mocy. Diody LED wykorzystujące ceramiczne podłoża Sic Substrate mają większą jasność, mniejsze zużycie energii, dłuższą żywotność i mniejszy obszar chipa jednostki.

Nowe pojazdy energetyczne
Przemysł nowych samochodów energetycznych wymaga, aby falowniki miały niezawodność znacznie przewyższającą niezawodność zwykłych przemysłowych falowników podczas obsługi prądów o dużym natężeniu; podłoże SiC Sic ma lepsze odprowadzanie ciepła, wysoką wydajność, odporność na wysoką temperaturę i wysoką niezawodność. ) Podłoże ceramiczne w pełni spełnia wymagania nowych pojazdów energetycznych. Miniaturyzacja podłoży ceramicznych Sic Substrate może znacznie zmniejszyć utratę mocy w nowych pojazdach energetycznych, umożliwiając im normalną pracę w różnych trudnych warunkach.

Najczęściej stosowane procesy obróbki powierzchni dla podłoży z krzemionki aluminiowej

Podłoże Sic ma doskonałe właściwości, takie jak wysoka wytrzymałość właściwa, sztywność właściwa, odporność na zużycie i niski współczynnik rozszerzalności cieplnej, i ma ważne perspektywy zastosowania w przemyśle lotniczym, silnikach samochodowych, precyzyjnych instrumentach, opakowaniach elektronicznych, sprzęcie sportowym itp. Jednakże węglik krzemu glinowego jest trudnym do przetworzenia materiałem i trudno go produkować masowo, co znacznie ogranicza zakres jego zastosowań. Dzieje się tak głównie dlatego, że obróbka węglika krzemu glinowego powoduje poważne uszkodzenia narzędzia. Jeśli nie ma odpowiedniej technologii przetwarzania, koszt narzędzia wzrośnie. bardzo wysoki.

Ze względu na istnienie fazy cząsteczkowej w materiałach kompozytowych z węglika krzemu i aluminium, nierównomierne defekty metalurgiczne materiału są zwiększone, co sprawia, że odporność korozyjna materiału w środowisku korozyjnym jest gorsza niż w przypadku stopu matrycy bez fazy wzmacniającej, ponieważ sama faza wzmacniająca może działać jako centrum aktywnej korozji i może zmieniać proces kinetyczny zmiany fazy matrycy, tworząc fazę wytrąconą, która może łatwo powodować korozję na styku matrycy i fazy wzmacniającej. Naprężenia szczątkowe na styku i dyslokacje o dużej gęstości mogą również łatwo powodować korozję wżerową. Skuteczna obróbka powierzchni kompozytów z węglika krzemu i aluminium może chronić materiał przed uszkodzeniami spowodowanymi korozją, zużyciem i utlenianiem w wysokiej temperaturze. Obecnie metody obróbki powierzchni węglika krzemu i aluminium obejmują utlenianie mikrołukowe, anodowanie, pasywację chemiczną, powlekanie organiczne i niklowanie bezprądowe.

Podłoże Sic Craftsmanship

Kruszenie surowca:Za pomocą kruszarki młotkowej rozdrobnij koks naftowy do rozmiaru cząstek wymaganego w procesie.
Dozowanie i mieszanie:Ważyć i mieszać zgodnie z przepisaną formułą. W tym projekcie wykorzystano platformę do dozowania i betoniarkę do mieszania.
Przygotowanie pieca elektrycznego z węglika krzemu:Wyczyść dno pieca, przytnij elektrody, wyczyść i napraw ścianę pieca, zainstaluj zasilanie i pierwszy bieg, sprawdź i usuń inne usterki pieca.
Załadunek pieca:Napełnij piec materiałami reakcyjnymi, materiałami izolacyjnymi i materiałami rdzenia pieca zgodnie z określonymi typami, lokalizacjami i rozmiarami materiałów pieca, a następnie zbuduj ściany boczne pieca do wytopu, które będą pełniły funkcję izolacyjną i utrzymywania materiału.
Wyślij moc do wytopu węglika krzemu:Podłącz elektryczny piec z węglika krzemu do transformatora, a następnie wyślij zasilanie. Przez pierwsze 15 minut używa się otwartego płomienia, aby zapalić CO. Proces wytopu trwa 170 godzin. Powyżej przedstawiono ogólny proces produkcji węglika krzemu. Konkretny proces produkcji może się różnić w zależności od producenta i wymagań produktu.

Różnica między podłożem z węglika krzemu i aluminium a podłożem z azotku krzemu

Podłoża z węglika krzemu i aluminium są stosowane w pojazdach szynowych, samolotach, półprzewodnikowych urządzeniach IGBT i innych dziedzinach produktów, głównie dlatego, że podłoża z węglika krzemu na bazie aluminium charakteryzują się wysoką przewodnością cieplną, współczynnikiem rozszerzalności cieplnej lepiej dopasowanym do układu scalonego, niewielką wagą, niską gęstością, dużą twardością i wysoką wytrzymałością na zginanie.

Charakterystyka i zalety podłoży z węglika krzemu i podłoży z azotku krzemu
Podłoże z węglika krzemu węglik krzemu aluminium (AISiC) to skrót od materiału kompozytowego wzmocnionego cząsteczkami węglika krzemu, znanego również jako węglik krzemu aluminium lub węgiel krzemu aluminium. Ma bardzo ważne i wyjątkowe zalety, gdy jest stosowany w przemyśle wojskowym.
● AISiC ma wysoką przewodność cieplną (170~200 W/mK), która jest dziesięciokrotnie większa niż w przypadku zwykłych materiałów opakowaniowych. Może on odprowadzać ciepło generowane przez chip w odpowiednim czasie i poprawiać niezawodność i stabilność całego komponentu.
●Współczynnik rozszerzalności cieplnej AISiC jest dobrze dopasowany do układu półprzewodnikowego i podłoża ceramicznego. Regulowany współczynnik rozszerzalności cieplnej (6,5~9,5x10-6/K) może zapobiegać uszkodzeniom zmęczeniowym, a układ zasilania można nawet zainstalować bezpośrednio na płycie bazowej AISiC. superior.
● Podłoże z węglika krzemu jest lekkie, ma dużą twardość, wysoką wytrzymałość na zginanie i dobrą odporność na trzęsienia ziemi. Materiał z wyboru w trudnych warunkach.

Zastosowania podłoży z węglika krzemu i podłoży z azotku krzemu są różne
Podłoża ceramiczne z azotku krzemu mają wysoką wytrzymałość mechaniczną, odporność na zużycie i dobrą przewodność cieplną. Są one głównie stosowane w przemyśle lotniczym, silnikach samochodowych, amortyzatorach samochodowych, mechanicznym sprzęcie medycznym, piecach przemysłowych, inteligentnym sprzęcie elektronicznym, modułach dużej mocy i innych dziedzinach. Cel: Węglik krzemu jest stosowany w lokomotywach kolejowych, samolotach, półprzewodnikowych urządzeniach IGBT i innych dziedzinach produktów, a także ma dobre zastosowania w przemyśle wojskowym.

Nasz zakład

Nasza specjalizacja w zakresie niestandardowych płytek krzemowych, kryształów zaszczepiających, tarcz krzemowych i przekładek pozwala nam sprostać różnorodnym potrzebom w branży półprzewodników i energii słonecznej. Nasze zaangażowanie w świadczenie spersonalizowanych usług pozwala naszym klientom osiągać konkretne cele projektu z precyzją i wydajnością.

Często zadawane pytania

P: Jakie są zalety stosowania podłoży SiC zamiast podłoży krzemowych w zastosowaniach półprzewodnikowych?

A: Podłoża SiC oferują kilka zalet w porównaniu z tradycyjnymi podłożami krzemowymi, w tym wyższą przewodność cieplną, szerszą przerwę pasmową i wyższe napięcie przebicia. Właściwości te umożliwiają rozwój urządzeń zdolnych do pracy w wyższych temperaturach, napięciach i częstotliwościach, co jest szczególnie korzystne w przypadku elektroniki mocy, elektroniki wysokotemperaturowej i zastosowań RF/mikrofalowych.

P: W jaki sposób wytwarzane są podłoża SiC?

A: Podłoża SiC są zazwyczaj hodowane przy użyciu metody fizycznego transportu pary (PVT). W tym procesie wysokiej czystości surowiec SiC jest umieszczany w tyglu i podgrzewany do wysokich temperatur w kontrolowanych warunkach atmosferycznych. Para SiC jest transportowana z cieplejszych obszarów tygla do chłodniejszych obszarów, gdzie krystalizuje na krysztale zaszczepiającym, tworząc podłoże.

P: Jaka jest typowa orientacja kryształów podłoży SiC?

A: Najczęstsze orientacje kryształów dla podłoży SiC to (001) i (0001), które są określane jako politypy 4H i 6H. Orientacje te są preferowane, ponieważ oferują dobrą stabilność strukturalną i są zgodne z większością procesów wytwarzania urządzeń SiC.

P: Jak charakteryzują się podłoża SiC?

A: Podłoża SiC charakteryzują się różnymi właściwościami fizycznymi i strukturalnymi, w tym jakością krystalograficzną, gęstością defektów, przewodnością elektryczną, przewodnością cieplną i chropowatością powierzchni. Do charakteryzacji powszechnie stosuje się takie techniki, jak dyfrakcja rentgenowska (XRD), transmisyjna mikroskopia elektronowa (TEM) i spektroskopia fotoluminescencji (PL).

P: Jaki wpływ ma jakość podłoża na wydajność urządzenia SiC?

A: Jakość podłoża SiC ma znaczący wpływ na wydajność urządzeń SiC. Wysokiej jakości podłoże o niskiej gęstości defektów może skutkować lepszymi właściwościami elektrycznymi, wyższą wydajnością i dłuższą żywotnością urządzeń. Z drugiej strony podłoża o wysokiej gęstości defektów mogą prowadzić do obniżenia wydajności i niezawodności urządzeń.

P: Czym jest materiał SiC?

A: Węglik krzemu (SiC) to syntetyczny, półprzewodzący drobny materiał ceramiczny, który sprawdza się w szerokim przekroju rynków przemysłowych. Producenci korzystają z eklektycznej oferty gatunków węglika krzemu ze względu na dostępność struktur o wysokiej gęstości i otwartych porowatych.

P: Czym jest SiC w chemii?

A: Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund (/ˌkɑːrbəˈrʌndəm/), to twardy związek chemiczny zawierający krzem i węgiel. Jako półprzewodnik występuje w naturze jako niezwykle rzadki minerał moissanit, ale od 1893 r. jest produkowany masowo jako proszek i kryształ do stosowania jako materiał ścierny.

P: Co oznacza SiC w półprzewodnikach?

A: SiC (węglik krzemu) to półprzewodnik złożony z krzemu i węglika. SiC zapewnia szereg zalet w porównaniu z krzemem, w tym 10-krotnie większą wytrzymałość pola elektrycznego przebicia, 3-krotnie większą przerwę pasmową i umożliwia szerszy zakres sterowania typu p i n wymaganego do budowy urządzenia.

P: Jak powstają podłoża SiC?

A: Obecnie przemysłowa produkcja podłoża z węglika krzemu opiera się głównie na metodzie PVT. Metoda ta wymaga sublimacji proszku za pomocą wysokiej temperatury i próżni, a następnie umożliwienia składnikom wzrostu na powierzchni zarodka poprzez kontrolę pola termicznego, aby uzyskać kryształy węglika krzemu.

P: Jak inaczej nazywa się SiC?

A: Węglik krzemu, powszechnie znany jako karborund, jest związkiem krzemu i węgla. Węglik krzemu jest materiałem półprzewodnikowym jako wschodzący materiał do zastosowań w urządzeniach półprzewodnikowych. Węglik krzemu został odkryty przez mieszkańca Pensylwanii Edwarda Achesona w 1891 roku.

P: Jaka jest różnica między SiO2 i SiC?

A: W przeciwieństwie do powłok na bazie SiO2, powłoki na bazie SiC faktycznie wiążą się z farbą, a SiC powstaje w tym procesie w wyniku reakcji chemicznej, a nie przez unoszenie się nanocząsteczek ceramiki w żywicy.

P: Czy SiC przewodzi prąd elektryczny?

A: Ze względu na niezwykłą twardość i odporność na zużycie, a także rolę półprzewodnika i przewodnika elektrycznego, węglik krzemu nadal przyczynia się do postępu w zakresie wydajności i niezawodności.

P: Jakie są rodzaje SIC?

A: Chociaż istnieje ponad 100 znanych politypów SiC, tylko kilka jest powszechnie uprawianych w odtwarzalnej formie akceptowalnej do stosowania jako półprzewodniki. Najczęstszymi politypami SiC opracowywanymi na potrzeby elektroniki są 3C-SiC, 4H-SiC i 6H-SiC.

P: Dlaczego węglik krzemu jest tak ważny?

A: Materiał o szerokiej przerwie energetycznej (WBG) może przenosić energię elektryczną wydajniej niż półprzewodniki o mniejszej przerwie energetycznej. Dzięki temu węglik krzemu jest szczególnie przydatny w elektronice mocy, takiej jak falowniki trakcyjne w pojazdach elektrycznych i przetworniki DC/DC do ładowarek pojazdów elektrycznych i klimatyzatorów (Zeeburg).

P: Gdzie występuje węglik krzemu?

A: Węglik krzemu jest jedynym węglikiem, który znajduje główne zastosowanie jako materiał ceramiczny. Występuje w naturze tylko w niewielkich ilościach w meteorytach, gdzie nazywa się go moissanitem (od odkrywcy Moissan).

P: Czy SiC jest odporny na korozję?

A: Bezciśnieniowy spiekany węglik krzemu jest niemal powszechnie odporny na korozję. Jest odporny na wszystkie powszechnie występujące kwasy (np. kwas solny, kwas siarkowy, kwas bromowodorowy i kwas fluorowodorowy), zasady (np. aminy, potas i soda kaustyczna), wszystkie rozpuszczalniki i media utleniające (np. kwas azotowy).

P: Czy SiO2 jest dobry czy zły?

A: Dwutlenek krzemu to związek występujący naturalnie. Występuje obficie w roślinach i w skorupie ziemskiej, a nawet przedostaje się do organizmu człowieka i innych zwierząt. Nadal nie ma dowodów na to, że dwutlenek krzemu jest niebezpieczny jako dodatek do żywności. Jednak regularne wdychanie pyłu krzemowego jest bardzo niebezpieczne.

Popularne Tagi: sic substrate, chińscy producenci sic substrate, dostawcy, fabryka

Wafel z węglika krzemu